삼성전자, D램+낸드플래시 장점 겸한 28나노 M램 출하

삼성전자, D램+낸드플래시 장점 겸한 28나노 M램 출하

 

삼성전자는 기존 D램과 내장형 낸드플래시 메모리의 특성을 동시에 갖춘 차세대 반도체인 “M램”을 출하한다고 6일 밝혔다. 새롭게 출하되는 삼성전자는 M램을 통해 미래 먹거리로 육성 중인 파운드리 사업의 경쟁력을 확대한다는 계획이다.

 

6일 삼성전자는 기흥캠퍼스에서 28나노 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI)공정을 적용해 저전력 소형화가 가능한 내장형 M램(eMRAM·embedded Magnetic Random Access Memory)의 양산을 시작했다고 밝혔다.

 

이번에 출하되는 M램은 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 비휘발성 특성을 갖추면서 D램 수준으로 빠른 데이터 처리가 가능한 것이 특징인 차세대 메모리다. 기존 e플래시 메모리와 달리 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없어 기존 e플래시 대비 1,000배 빠른 쓰기 속도가 가능하다는 것이 삼성측의 주장이다.

 

삼성전자는 연내 1기가비트(Gb) 용량의 eM램 테스트칩 생산도 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대한다는 방침이다.

 

※ M램: 자기저항식 랜덤 액세스 메모리(magnetoresistive random access memory)로, D램 등 종전의 기억소자가 전기를 축적해 정보를 기억하는 것과는 달리 자기를 이용해 정보를 기억하는 새로운 형태의 기억소자이다. M램은 반도체 내부의 자기메모리 셀의 자화 방향에 따라 0 또는 1의 데이터 비트가 기록되는 메모리이다. 즉, 기존 메모리의 전기신호를 자기신호로 바꾼 것이다. S램의 고속정보처리 능력, 플래시메모리의 전원이 끊겨도 정보가 지워지지 않는 비휘발성, D램의 고집적화 등 기존 메모리 소자들의 장점을 두루 갖추고 있다.  [네이버 지식백과] M램 (시사상식사전, pmg 지식엔진연구소)